電子元器件按其種類(lèi)不同，受靜電破壞的程du度也不一樣，最低的zhi100V的靜電壓...電子元器件按其種類(lèi)不同，受靜電破壞的程du度也不一樣，最低的zhi100V的靜電壓也會(huì)對(duì)dao其造成破壞。近年來(lái)隨著電子元器件發(fā)展趨于集成化，因此要求相應(yīng)的靜電電壓...
MOS管漲知識(shí)| MOS管的實(shí)際應(yīng)用詳細(xì)解析：MOS管和三極管類(lèi)似，只不過(guò) MOS管是壓...MOS管漲知識(shí)| MOS管的實(shí)際應(yīng)用詳細(xì)解析：MOS管和三極管類(lèi)似，只不過(guò) MOS管是壓控壓型（電壓控制），而三極管是流控流型（電流控制）。N型MOS管應(yīng)用的場(chǎng)景更多，相...
MOS管全稱(chēng)金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱(chēng)金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶...MOS管全稱(chēng)金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱(chēng)金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文名metal oxide semiconductor，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型，因此，MOS管有...
MOS管D80N06替代產(chǎn)品-KND3306B參數(shù) 封裝 規(guī)格書(shū)詳情，MOS管D80N06替代產(chǎn)品KND3...MOS管D80N06替代產(chǎn)品-KND3306B參數(shù) 封裝 規(guī)格書(shū)詳情，MOS管D80N06替代產(chǎn)品KND3306B特點(diǎn)： RDS(ON)=7mΩtyp@VGS=10V 提供無(wú)鉛綠色設(shè)備 低Rds開(kāi)啟以最小化導(dǎo)電損...
FET晶體管類(lèi)型和MOS管工作原理、應(yīng)用及作用圖文解析，F(xiàn)ET，也稱(chēng)為單極晶體管，...FET晶體管類(lèi)型和MOS管工作原理、應(yīng)用及作用圖文解析，F(xiàn)ET，也稱(chēng)為單極晶體管，是用于控制器件電性能的晶體管。FET具有非常高的輸入阻抗（在JFET的情況下為100兆歐...
FET簡(jiǎn)述（原理、結(jié)構(gòu)、分類(lèi)）-FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的應(yīng)用，F(xiàn)ET即Field Effect ...FET簡(jiǎn)述（原理、結(jié)構(gòu)、分類(lèi)）-FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的應(yīng)用，F(xiàn)ET即Field Effect Transistor，譯為場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也叫場(chǎng)效應(yīng)管，是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制...
