提到互聯(lián)網(wǎng)+足球，我們首先想到互聯(lián)網(wǎng)+是什么？怎么去理解和量化它。接下來我們...提到互聯(lián)網(wǎng)+足球，我們首先想到互聯(lián)網(wǎng)+是什么？怎么去理解和量化它。接下來我們一起看看互聯(lián)網(wǎng)+的概述?；ヂ?lián)網(wǎng)+是指創(chuàng)新2.0下的互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的新業(yè)態(tài)，也是知識社會...
了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;...了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴(yán)重的EMI問題，導(dǎo)致整個...
硬件電路設(shè)計的一般分為設(shè)計需求分析、原理圖設(shè)計、PCB設(shè)計、工藝文件處理等幾...硬件電路設(shè)計的一般分為設(shè)計需求分析、原理圖設(shè)計、PCB設(shè)計、工藝文件處理等幾個階段，設(shè)計過程中的每一個細(xì)節(jié)都可能成為導(dǎo)致設(shè)計成功與失敗的關(guān)鍵。隨著集成電路...
MOS管 FDD8870特征： rDS(ON)=3.9mΩ,VGS=10V,ID=35A rDS(ON)=4.4mΩ,VGS=4....MOS管 FDD8870特征： rDS(ON)=3.9mΩ,VGS=10V,ID=35A rDS(ON)=4.4mΩ,VGS=4.5V,ID=35A 高性能溝槽技術(shù)，極低RDS（開） 低柵電荷 高功率和電流處理能力
鉭電容是電容器中體積小而又能達到較大電容量的產(chǎn)品，是1956年由美國貝爾實驗室...鉭電容是電容器中體積小而又能達到較大電容量的產(chǎn)品，是1956年由美國貝爾實驗室首先研制成功的，它的性能優(yōu)異。鉭電容器外形多種多樣，并制成適于表面貼裝的小型和...
本文介紹電子元件名稱大全圖，電子元器件基礎(chǔ)知識，作為一位電子元器件的采購，...本文介紹電子元件名稱大全圖，電子元器件基礎(chǔ)知識，作為一位電子元器件的采購，不單單是需要靈活的業(yè)務(wù)能力，還更需要掌握電子元器件的一些硬件的東西。如電子元器...
