KIA半導(dǎo)體MOS管 6303產(chǎn)品特點(diǎn)： Vds=30V RDS(ON)=9.0mΩ(typ.),VGS@10V,Ids@...KIA半導(dǎo)體MOS管 6303產(chǎn)品特點(diǎn)： Vds=30V RDS(ON)=9.0mΩ(typ.),VGS@10V,Ids@12A RDS(ON)=11.5mΩ(typ.),VGS@4.5V,Ids@6A 先進(jìn)的溝道工藝技術(shù) 超低導(dǎo)通電阻的...
mos管直流特性，場(chǎng)效應(yīng)管是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流大小的半導(dǎo)體器件，根...mos管直流特性，場(chǎng)效應(yīng)管是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流大小的半導(dǎo)體器件，根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，場(chǎng)效應(yīng)管可分為兩大類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JEFT)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)...
8606是高密度溝槽N型MOSFETS，具有優(yōu)良的RDSON性能。和柵極充電為大多數(shù)同步降...8606是高密度溝槽N型MOSFETS，具有優(yōu)良的RDSON性能。和柵極充電為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用。8606滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)和綠色產(chǎn)品要求，100％的安全評(píng)價(jià)保證充分的功能可...
結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管，JFET是在同一塊N形半導(dǎo)體上制作兩個(gè)高摻雜的P區(qū)，并將它們連接在一...結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管，JFET是在同一塊N形半導(dǎo)體上制作兩個(gè)高摻雜的P區(qū)，并將它們連接在一起，所引出的電極稱為柵極g，N型半導(dǎo)體兩端分別引出兩個(gè)電極，分別稱為漏極d，源極...
晶圓發(fā)展晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為...晶圓發(fā)展晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)...
MOS管KNX3206A 110A/60V產(chǎn)品主要參數(shù)： 產(chǎn)品型號(hào)：KNX3206A 工作方式：110A/...MOS管KNX3206A 110A/60V產(chǎn)品主要參數(shù)： 產(chǎn)品型號(hào)：KNX3206A 工作方式：110A/60V 漏至源電壓:60V 門(mén)到門(mén)限電壓:±20V 單脈沖雪崩能:288MJ 接頭和儲(chǔ)存溫度范圍...
