小電流MOS管 KIA30N03B 30A/30V特征： RDS(on)=15m?@VDS=30V 高單元密度溝槽...小電流MOS管 KIA30N03B 30A/30V特征： RDS(on)=15m?@VDS=30V 高單元密度溝槽技術(shù) 超低門(mén)電荷 優(yōu)異的Cdv/dt效應(yīng)下降 100%EAS保證 綠色設(shè)備可用
文中將會(huì)介紹TO封裝系列的封裝尺寸及外觀圖，MOSFET芯片在制作完成之后,需要給...文中將會(huì)介紹TO封裝系列的封裝尺寸及外觀圖，MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、冷卻的作用...
MOS管如何精準(zhǔn)控制電路電流，MOS管即可用于放大電流，又可以作為可變電阻，還能...MOS管如何精準(zhǔn)控制電路電流，MOS管即可用于放大電流，又可以作為可變電阻，還能用作電子開(kāi)關(guān)，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。而在使用過(guò)程中，MOS管是通過(guò)加在輸入端...
充電器MOS管,KNX4660A,7A/600V，KNX4660A溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是為高壓而設(shè)...充電器MOS管,KNX4660A,7A/600V，KNX4660A溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是為高壓而設(shè)計(jì)的。高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如高效率開(kāi)關(guān)電源，有源，開(kāi)關(guān)電源等。功率因數(shù)校正，基于...
MOS管特性及MOSFET，?mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconduc...MOS管特性及MOSFET，?mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drai...
上海慕尼黑電子展是電子行業(yè)展覽，也是行業(yè)內(nèi)重要的盛事。這些年，展會(huì)化身e星...上海慕尼黑電子展是電子行業(yè)展覽，也是行業(yè)內(nèi)重要的盛事。這些年，展會(huì)化身e星球，已成為帶領(lǐng)未來(lái)電子科技的創(chuàng)新平臺(tái)。半導(dǎo)體、傳感器、連接器和電源等形成了e星球...
