MOS管20N50產(chǎn)品特征： 1、KIA20N50H N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高功率M...MOS管20N50產(chǎn)品特征： 1、KIA20N50H N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高功率MOSFET設(shè)計(jì)的電壓，高速功率開關(guān)應(yīng)用，如高效率開關(guān)電源等。有源功率因數(shù)校正。 2、...
KIA半導(dǎo)體供應(yīng)小功率場(chǎng)效應(yīng)管，參數(shù)請(qǐng)查看本文。小功率場(chǎng)效應(yīng)管也分為結(jié)型和絕...KIA半導(dǎo)體供應(yīng)小功率場(chǎng)效應(yīng)管，參數(shù)請(qǐng)查看本文。小功率場(chǎng)效應(yīng)管也分為結(jié)型和絕緣柵型，但通常主要指絕緣柵型中的MOS型。結(jié)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體...
mos管散熱器，大功率逆變器MOS管，工作的時(shí)候，發(fā)熱量非常大，如果MOS管散熱效...mos管散熱器，大功率逆變器MOS管，工作的時(shí)候，發(fā)熱量非常大，如果MOS管散熱效果不好，溫度過高就可能導(dǎo)致MOS管的燒毀，進(jìn)而可能導(dǎo)致整個(gè)電路板的損毀。傳統(tǒng)大功率...
MOS管2N65H特征： RDS (on) =4.3Ω@VGS=10V 低門電荷(典型的6.5nC) 高韌性 ...MOS管2N65H特征： RDS (on) =4.3Ω@VGS=10V 低門電荷(典型的6.5nC) 高韌性 快速切換 100%雪崩試驗(yàn) 改進(jìn)的dv/dt能力
KIA半導(dǎo)體2018ELEXCON深圳國際電子展圓滿結(jié)束！感謝各位粉絲朋友蒞臨展臺(tái)，參與...KIA半導(dǎo)體2018ELEXCON深圳國際電子展圓滿結(jié)束！感謝各位粉絲朋友蒞臨展臺(tái)，參與我們現(xiàn)場(chǎng)展會(huì),持續(xù)關(guān)注KIA半導(dǎo)體平臺(tái)，更多活動(dòng)新事分享給您！“物聯(lián)中國，智慧星球...
場(chǎng)效應(yīng)mos管，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場(chǎng)效應(yīng)管...場(chǎng)效應(yīng)mos管，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，由多數(shù)載流...
