mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者...mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都...
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效...金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加...
12V鋰電池保護(hù)板，16串磷酸鐵鋰電池保護(hù)板，18650電池保護(hù)板，線路板廠在雙面線...12V鋰電池保護(hù)板，16串磷酸鐵鋰電池保護(hù)板，18650電池保護(hù)板，線路板廠在雙面線路板設(shè)計時都會優(yōu)先考慮鋰電池保護(hù)板工作原理，電池之都帶大家看一個單節(jié)電芯的鋰電...
MOS管引腳圖、MOS管引腳區(qū)分、柵極G的測定：用萬用表R&TImes;100檔，測任意兩腳...MOS管引腳圖、MOS管引腳區(qū)分、柵極G的測定：用萬用表R&TImes;100檔，測任意兩腳之間正反向電阻，若其中某次測得電阻為數(shù)百Ω），該兩腳是D、S，第三腳為G。漏極D、...
電阻是描述導(dǎo)體導(dǎo)電性能的物理量，用R表示。電阻由導(dǎo)體兩端的電壓U與通過導(dǎo)體的...電阻是描述導(dǎo)體導(dǎo)電性能的物理量，用R表示。電阻由導(dǎo)體兩端的電壓U與通過導(dǎo)體的電流I的比值來定義，即R=U/I。所以，當(dāng)導(dǎo)體兩端的電壓一定時，電阻愈大，通過的電流...
鋰電池保護(hù)板是對串聯(lián)鋰電池組的充放電保護(hù)；在充滿電時能保證各單體電池之間的...鋰電池保護(hù)板是對串聯(lián)鋰電池組的充放電保護(hù)；在充滿電時能保證各單體電池之間的電壓差異小于設(shè)定值（一般±20mV），實(shí)現(xiàn)電池組各單體電池的均充，有效地改善了串聯(lián)...
