從熱力學(xué)的角度來(lái)看，物體的吸熱、放熱是相對(duì)的，但凡有溫差存在時(shí)，就必然發(fā)作...從熱力學(xué)的角度來(lái)看，物體的吸熱、放熱是相對(duì)的，但凡有溫差存在時(shí)，就必然發(fā)作熱從高溫處傳送到低溫處，這是自然界和工程技術(shù)范疇中極普遍的一種現(xiàn)象，而熱傳送的...
1.開(kāi)啟電壓VT-開(kāi)啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)端構(gòu)成導(dǎo)電溝...1.開(kāi)啟電壓VT-開(kāi)啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)端構(gòu)成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；-規(guī)范的N溝道MOS管，VT約為3～6V；-經(jīng)過(guò)工藝上的改良，能夠使MOS...
超級(jí)結(jié)MOSFET和SiC二極管的不斷發(fā)展給設(shè)計(jì)人員在優(yōu)化成本敏感的功率變換應(yīng)用的...超級(jí)結(jié)MOSFET和SiC二極管的不斷發(fā)展給設(shè)計(jì)人員在優(yōu)化成本敏感的功率變換應(yīng)用的性能和效率帶來(lái)了更多的自由。電源設(shè)計(jì)要求效率增益及更多其他要求 為了繼續(xù)...
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效...金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加...
mos管參考選型表mos管參考選型表
1． 負(fù)載電流IL。它直接決議于MOSFET的輸出才能； 2． 輸入—輸出電壓。它受...1． 負(fù)載電流IL。它直接決議于MOSFET的輸出才能； 2． 輸入—輸出電壓。它受MOSFET負(fù)載占空比才能限制； 3． 開(kāi)關(guān)頻率FS。這個(gè)參數(shù)影響MOSFET開(kāi)關(guān)霎時(shí)的耗散...
