MOSFET是ULSI電路中最主要的器件，由于它可比其他品種器件減少至更小的尺寸. M...MOSFET是ULSI電路中最主要的器件，由于它可比其他品種器件減少至更小的尺寸. MOSFET的主要技術(shù)為CMOS(CMOSFET，complementary MOSFET)技術(shù)，用此技術(shù)，n溝道與p溝...
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者...mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是能夠?qū)φ{(diào)的，他們都是...
MOS管的開關(guān)條件”前而處置了MOS管的按法問題，接下來談?wù)凪OS管’ 的 開關(guān)條件...MOS管的開關(guān)條件”前而處置了MOS管的按法問題，接下來談?wù)凪OS管’ 的 開關(guān)條件 ·控制極電平為 “ 1_V ” 時MOS管導(dǎo)通 （飽和導(dǎo)通) 控制極電平為 “ 1_V ” 時...
N溝MOS晶體管：襯底為P型，源漏為重摻雜的N＋，溝道中載流子為電子。P溝MOS晶體...N溝MOS晶體管：襯底為P型，源漏為重摻雜的N＋，溝道中載流子為電子。P溝MOS晶體管：襯底為N型，源漏為重摻雜的P＋，溝道中載流子為空穴。在正常青況下，只需一種類...
大部分MOSFET管指定了最大柵源極間電壓(±20V）。假定超越這個限制，器件就容易...大部分MOSFET管指定了最大柵源極間電壓(±20V）。假定超越這個限制，器件就容易被損壞。當MOSFET管工作時運用柵極輸入電阻，并在一個具有較大供電電壓的電路中關(guān)斷...
半導(dǎo)體存儲器可區(qū)分為揮發(fā)性與非揮發(fā)件性存儲器兩類．揮發(fā)性存儲器，如動態(tài)隨機...半導(dǎo)體存儲器可區(qū)分為揮發(fā)性與非揮發(fā)件性存儲器兩類．揮發(fā)性存儲器，如動態(tài)隨機存儲器和靜態(tài)隨機存儲器，若其電源供應(yīng)關(guān)閉，將會喪失所儲存的信息，相比之下，非揮...
