在實(shí)際應(yīng)用中，起到開(kāi)關(guān)使用的是開(kāi)關(guān)晶體管?？刂齐娐樊a(chǎn)生一固定頻率的脈沖寬度...在實(shí)際應(yīng)用中，起到開(kāi)關(guān)使用的是開(kāi)關(guān)晶體管?？刂齐娐樊a(chǎn)生一固定頻率的脈沖寬度可調(diào)的方波(PWM)。 當(dāng)S1為低電平時(shí)，VT1截止，變壓器T繞組中的電壓反向，二極管V...
半導(dǎo)體材料 一、半導(dǎo)體材料 半導(dǎo)體單晶 硅單晶 鍺單晶 化合物單晶 2...半導(dǎo)體材料 一、半導(dǎo)體材料 半導(dǎo)體單晶 硅單晶 鍺單晶 化合物單晶 2.半導(dǎo)體片材 其他半導(dǎo)體片材 半導(dǎo)體外延片 半導(dǎo)體拋光片 半導(dǎo)體封裝材料
跟著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電源技術(shù)又與現(xiàn)代控制理論、材料科學(xué)、電機(jī)工程、微電子技...跟著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電源技術(shù)又與現(xiàn)代控制理論、材料科學(xué)、電機(jī)工程、微電子技術(shù)等很多領(lǐng)域緊密親密相關(guān)。開(kāi)關(guān)電源在電源技術(shù)中據(jù)有重要地位，從20kHz發(fā)展到高不...
近年來(lái)的發(fā)展方向是將小功率電源系統(tǒng)集成在一個(gè)芯片上，可以使電源產(chǎn)品更為緊湊...近年來(lái)的發(fā)展方向是將小功率電源系統(tǒng)集成在一個(gè)芯片上，可以使電源產(chǎn)品更為緊湊，體積更小，也減小了引線長(zhǎng)度，從而減小了寄生參數(shù)。對(duì)高頻磁元件所用的磁性材料，...
MOS又分為兩種，一種為耗盡型（DepletionMOS），另一種為增強(qiáng)型（EnhancementM...MOS又分為兩種，一種為耗盡型（DepletionMOS），另一種為增強(qiáng)型（EnhancementMOS）。 因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管拓展器的輸入阻抗很高，因而耦合電容能夠容量較小，不必運(yùn)用電...
N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si...N溝道耗盡型MOS管和N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)基本相同。差別在于耗盡型MOS管的Si02絕緣層中摻有大量的正離子Na+或K+（制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻人負(fù)離子），故在UCs...
