7n80場效應管代換型號?KIA7N80HF漏源擊穿電壓800V，漏極電流7A，采用先進的平...7n80場效應管代換型號?KIA7N80HF漏源擊穿電壓800V，漏極電流7A，采用先進的平面條狀DMOS技術制造，?RDS(on)僅為1.4Ω@ VGS=10V，低柵極電荷27nC，最大限度降低導...
LCR數字電橋的原理是通過測量待測元件兩端的電壓和電流向量，結合相敏檢波與數...LCR數字電橋的原理是通過測量待測元件兩端的電壓和電流向量，結合相敏檢波與數字信號處理技術，運用矢量形式的歐姆定律計算阻抗參數。lcr數字電橋可以精確測量電子...
紋波電流指在直流電源中，由于整流器和濾波器的不完美，使得直流電流中存在周期...紋波電流指在直流電源中，由于整流器和濾波器的不完美，使得直流電流中存在周期性的波動。這種波動通常表現為交流成分，但其頻率和幅度通常較低。
KNB2708A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流160A，采用專有新型溝槽技術制造，...KNB2708A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流160A，采用專有新型溝槽技術制造，極低導通電阻RDS（ON）4mΩ（典型值），最大限度地降低導通電阻，?超低柵極電荷，減...
在半導體器件中，由于空間電荷區（即耗盡層）的存在而形成的電容。當外加電壓變...在半導體器件中，由于空間電荷區（即耗盡層）的存在而形成的電容。當外加電壓變化時，耗盡層的寬度和電荷量會變化，導致電容的變化。這種情況下，勢壘電容與耗盡層...
