KIA4603AE場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A，采用先進(jìn)的高密度溝槽加工技術(shù)...KIA4603AE場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A，采用先進(jìn)的高密度溝槽加工技術(shù)，實現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 14.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，高效低耗；低柵...
當(dāng)用手觸及電極“1”時，人體的感應(yīng)信號經(jīng)過V3放大后，使V1導(dǎo)通，V1集電極為低...當(dāng)用手觸及電極“1”時，人體的感應(yīng)信號經(jīng)過V3放大后，使V1導(dǎo)通，V1集電極為低電平，V4的基極也為低電平，故V4截止，其集電極為高電平，V5的基極也為高電平，故V5...
MOS管Q2，用于將按鍵電平VIN，轉(zhuǎn)換為單片機的電壓軌3.3V，防止VIN燒毀單片機的...MOS管Q2，用于將按鍵電平VIN，轉(zhuǎn)換為單片機的電壓軌3.3V，防止VIN燒毀單片機的I/O。單片機讀取KEY_ON引腳的電平，就可以得到按鍵狀態(tài)。Q2可以用三極管代替，但三極...
KNP2803S場效應(yīng)管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進(jìn)的溝槽加工技術(shù)，實現(xiàn)極...KNP2803S場效應(yīng)管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進(jìn)的溝槽加工技術(shù)，實現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗；低柵極電荷、低反向傳輸電...
如圖所示，用12V直流電給變壓器初級繞組供電，MOS管Q1控制初級繞組的通斷。穩(wěn)壓...如圖所示，用12V直流電給變壓器初級繞組供電，MOS管Q1控制初級繞組的通斷。穩(wěn)壓管D3和R3用于保護(hù)MOS管（出入端有大電壓時，穩(wěn)壓管發(fā)生齊納擊穿，將能量快速傳遞到...
