MOS管電流源驅(qū)動(dòng)原理分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-03-18
本文采用電流源方式驅(qū)動(dòng)電路，研究電流源驅(qū)動(dòng)條件下的MOS管開關(guān)特性，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了細(xì)致分析。
MOS管電流源驅(qū)動(dòng)原理分析：
在傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動(dòng)方式下，開關(guān)管VT門極電容充電的過程中，充電電流、Cin 兩端電壓Ugs變化如圖1所示；
to時(shí)刻門極平均電流Ig達(dá)到峰值Ugate / RG，隨后快速下降，在t1~t2時(shí)刻由于發(fā)生miller電容效應(yīng)，Ugs不變，此時(shí)電流i可近似看成常數(shù)。
這段時(shí)間miller電容效應(yīng)明顯，隨著IG的減小，驅(qū)動(dòng)能力減弱，導(dǎo)致開關(guān)時(shí)間長、開關(guān)損耗大。
為了減少miller電容效應(yīng)，若在開關(guān)管門極電容充電的過程中，保持充電電流不變，如圖2所示；
(圖中Ipl-on、Ipl-off分別表示開通和關(guān)斷時(shí)米勒平臺(tái)電流，Ith-on、Ith-off分別表示開通和關(guān)斷時(shí)刻的門檻電流)，則開關(guān)時(shí)間將縮短，開關(guān)損耗降低。
基于這種思想，本文采用了電流源驅(qū)動(dòng)電路，通過特定的驅(qū)動(dòng)方式，在MOS管開啟和關(guān)斷時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)近似恒流的電源給其供電，縮短開關(guān)時(shí)間，達(dá)到減少開關(guān)損耗的目的。
由式(1 )知開關(guān)損耗與開通和關(guān)斷時(shí)間、開關(guān)頻率成正比。
其中，uDS和iDS分別為漏源電壓和電流；tr和tf分別為開關(guān)過程中的上升和下降時(shí)間。
電流源驅(qū)動(dòng)的目的是為減少開通和關(guān)斷時(shí)間，使開關(guān)電源在高頻下工作時(shí)的開關(guān)損耗比傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)大幅降低。
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