場(chǎng)效應(yīng)管如何控制電流大??？-KIA MOS管

場(chǎng)效應(yīng)管的概念

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型（juncTIonFET—JFET）和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorFET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。

由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。

具有輸入電阻高噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。

場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)

（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)VGS（柵源電壓）來(lái)控制ID（漏極電流）；

（2）場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（10～10Ω）很大。

（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；

（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

場(chǎng)效應(yīng)管在電路中如何控制電流大小?

MOS管是電壓控制器件，也就是需要使用電壓控制G腳來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)管子電流的控制。

一般市面上最常見(jiàn)的是增強(qiáng)型N溝通MOS管，可以用一個(gè)電壓來(lái)控制G的電壓，MOS管導(dǎo)通電壓一般在2-4V，不過(guò)要完全控制，這個(gè)值要上升到10V左右。

基本方法：

用一個(gè)控制電壓（比較器同相輸入端）和一個(gè)參考電壓（比較器反相輸入端），同時(shí)進(jìn)入電壓比較器（比較器電源接正12V和地，比如LM358當(dāng)比較器），比較器的輸出經(jīng)過(guò)5.1K電阻上拉后接G腳，如果控制電壓比參考電壓高，則控制MOS管導(dǎo)通輸出電流。

參考電壓可以來(lái)自于采樣電阻，也就是在NMOS的S極接一個(gè)大功率小電阻后接地，這個(gè)電阻做電流采樣，當(dāng)電流流過(guò)電阻后會(huì)形成電壓，把它放大處理后做參考。

剛開(kāi)始的時(shí)候，電流很小，所以控制電壓比參考電壓高很多，這時(shí)候G腳基本上都加了12V，可以使管子迅速導(dǎo)通，在很短時(shí)間后，當(dāng)電流增大逐步達(dá)到某個(gè)值時(shí)，參考電壓迅速上升，與控制電壓接近并超過(guò)時(shí)，比較器就輸出低電平（接近0V）使管子截止，電流減小。然后電流減少后，參考電壓又下去，管子又導(dǎo)通，電流又增大。然后周而復(fù)始。

如果用D/A輸出代替控制電壓，則可以獲得對(duì)MOS管的精確控制，我們以前實(shí)現(xiàn)過(guò)輸出范圍10-2000mA，步進(jìn)1mA，輸出電流精度正負(fù)1mA的水平。

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