晶閘管的內(nèi)部構(gòu)造、電路符號(hào)圖文詳解-KIA MOS管

晶閘管簡(jiǎn)介

晶閘管是在半導(dǎo)體二極管、三極管往后發(fā)現(xiàn)的一種新式的大功率半導(dǎo)體器材，它是一種可操控的硅整流元件，亦稱(chēng)可控硅。

晶閘管的外形如圖所示，分為螺栓形峻峭板形兩種，螺栓形帶有螺栓的那一端是陽(yáng)極A，它可與散熱器固定，另一端的粗引線是陰極K，細(xì)線是操控極（又稱(chēng)門(mén)極）G，這種構(gòu)造替換元件很便利，用于十0A以下的元件。

平板形，基地的金屬環(huán)是操控極G，離操控極遠(yuǎn)的一面是陽(yáng)極A，近的一面是陰極K，這種構(gòu)造散熱作用比照好，用于200A以上的元件。

晶閘管是由四層半導(dǎo)體構(gòu)成的。圖（a）、（b）、（c）所示別離為螺栓形晶閘管的內(nèi)部構(gòu)造、晶閘管的構(gòu)造暗示和標(biāo)明符號(hào)。

晶閘管的構(gòu)造是由四層半導(dǎo)體資料疊成三個(gè)PN結(jié)，并在對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體資料上引出了三個(gè)電極。這三個(gè)電極別離稱(chēng)為：A-陽(yáng)極，G-操控極，K-陰極。

在晶閘管的陽(yáng)極和陰極之間加正向電壓而控制極不加電壓時(shí)，由于PN結(jié)J2為反向偏置，所以晶閘管不導(dǎo)通，即處于阻斷狀態(tài)；而當(dāng)外加電壓極性相反時(shí)，由于J1和J3反向偏置，晶閘管仍然阻斷。

這兩種情況均相當(dāng)于開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài)。如果在陽(yáng)極和陰極之間加正向電壓的同時(shí)，在控制極與陰極之間也加上一個(gè)正向電壓，則晶閘管就由阻斷變?yōu)閷?dǎo)通，而且管壓降很小，約1V左右，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)處于閉合狀態(tài)?？梢?jiàn)，晶閘管相當(dāng)于一個(gè)可以控制的單方向?qū)щ姷拈_(kāi)關(guān)。

從晶閘管的內(nèi)部構(gòu)造剖析，能夠?qū)⒕чl管等效為以如圖所示辦法相聯(lián)接的NPN和PNP兩個(gè)三極管VT1、VT2。設(shè)三極管VT1和VT2的拓寬倍數(shù)別離為β1、β2。

當(dāng)A－K間加正向電壓時(shí)：VT1、VT2正向偏置。若在G－K間施加正向電壓，則會(huì)在三極管VT1的基極發(fā)生初始觸發(fā)電流。

由于VT2和VT1之間各自的集電極和對(duì)方的基極相連， 經(jīng)VT1拓寬后的電流回到VT2的基極，然后構(gòu)成劇烈的電流正反響。晶閘管能在幾微秒的時(shí)刻內(nèi)完畢導(dǎo)經(jīng)進(jìn)程。

當(dāng)A-K間加反向電壓時(shí)： VT1、VT2反向偏置，不管G-K端為正或反向電壓。晶閘管不能導(dǎo)通。

通過(guò)試驗(yàn)驗(yàn)證，可得以下定論：

（1）正常狀況下，若操控極不加正向電壓，則不管陽(yáng)極加正向電壓仍是反向電壓，晶閘管均不導(dǎo)通，這闡明晶閘管具有正、反向阻斷才調(diào)；

（2）晶閘管的陽(yáng)極和操控極一同加正向電壓時(shí)才調(diào)使晶閘管導(dǎo)通，這是晶閘管導(dǎo)通有必要一同具有的兩個(gè)條件；

（3）在晶閘管導(dǎo)通往后，其操控極就失掉操控造用，欲使晶閘管康復(fù)阻斷狀況，有必要把陽(yáng)極正向電壓下降到必定值（或斷開(kāi)，或反向）。

（4）晶閘管導(dǎo)通后，兩只三極管豐滿導(dǎo)通，陽(yáng)極與陰極間的管壓降為1V分配，而電源電壓簡(jiǎn)直全有些配在負(fù)載電阻上。晶閘管的PN結(jié)可通過(guò)幾十安～幾千安的電流。晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的時(shí)刻為幾微秒。

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