10n60場效應管參數(shù)管腳 10N60場效應管代換-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-07-28
KIA10N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關(guān)應用而設計，如高效開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋到拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器。在社會的飛速發(fā)展中，便攜式儲能電源的需求自然激增，因此廠家一定要重視產(chǎn)品對MOS管的使用。10n60針對儲能電源應用，具有更耐沖擊、同等參數(shù)雪崩更高的特性，提高效率的同時給產(chǎn)品應用也提供更穩(wěn)定的保障。
1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V
2、低柵電荷（典型的44nc)
3、快速切換能力
4、雪崩能量指定值
5、增強的dv/dt能力
產(chǎn)品型號：KIA10N60H
工作方式：9.5A/600V
漏源極電壓:600V
柵源電壓:±30V
漏電流連續(xù):9.5A/5.7A
峰值二極管恢復:4.5V/ns
結(jié)溫:+150℃
貯存溫度:-55℃至150℃
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠服務全球開關(guān)電源、綠色照明、電機驅(qū)動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產(chǎn)品。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
