10n65場效應管參數(shù) 儲能電源高壓MOS管10n65 650V-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-08-01
KIA10N65H N溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器。10n65場效應管是針對儲能電源，有更耐沖擊，同等參數(shù)雪崩更高的MOSFET。
RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V
快速交換功能
指定的雪崩能量
改進的DV/DT功能
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè)，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產(chǎn)品。
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