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18n50場效應(yīng)管參數(shù)代換 18n50規(guī)格書 引腳-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-08-08 

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18n50場效應(yīng)管參數(shù)代換 18n50規(guī)格書 引腳-KIA MOS管


18n50場效應(yīng)管參數(shù)-介紹

開關(guān)電源產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化控制、軍工設(shè)備、科研設(shè)備、LED照明、工程設(shè)備、通訊設(shè)備等等;一款優(yōu)質(zhì)的場效應(yīng)管應(yīng)用在開關(guān)電源中能夠提升效率,減低成本。


KIA半導(dǎo)體這款18N50H是N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設(shè)計,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-AC電源轉(zhuǎn)換器,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,紫外線燈電子鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品中。在使用方面能夠匹配型號為FQP16N50的國外場效應(yīng)管,完美代換FQP18N50型號的場效應(yīng)管。


18n50場效應(yīng)管參數(shù)-特征

RDS(on)=0.25Ω@VGS=10V

低柵電荷

快速切換能力

提高了dv/dt能力


18n50場效應(yīng)管參數(shù)-封裝

18n50場效應(yīng)管參數(shù)

18n50場效應(yīng)管參數(shù)詳情

工作方式:18A/500V

漏源電壓:500V

柵源電壓:±30V

脈沖漏電流:72A

峰值二極管恢復(fù)dv/dt:4.5V/ns

輸入電容:2500pF

輸出電容:400pF

連續(xù)漏源電流:18A


18n50場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書

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18n50場效應(yīng)管參數(shù)


KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域,不僅包括光伏逆變及無人機(jī)、充電樁、這類新興能源,也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA半導(dǎo)體提供免費(fèi)試樣外,更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制MOS管產(chǎn)品!

18n50場效應(yīng)管參數(shù)


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