?30n03場效應(yīng)管參數(shù),30n03場效應(yīng)管代換,30n03參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-04-24
漏源電壓：30V
漏極電流：30A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：15mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：60A
雪崩能量單脈沖：72MJ
總功耗：25W
輸入電容：572PF
輸出電容：81PF
總柵極電荷：7.2nC
開通延遲時間：4.1nS
關(guān)斷延遲時間：15.5nS
上升時間：9.8ns
下降時間：6.0ns
KIA30N03B是性能最高的溝槽N溝道MOSFET，具有極高的單元密度，可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷。KIA30N03B符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求，100%EAS保證，全功能可靠性獲得批準。
KIA30N03B場效應(yīng)管具備出色的性能參數(shù)，漏源擊穿電壓30V，漏極電流30A，采用先進的高細胞密度溝槽技術(shù)，具有超低的柵極電荷，RDS（開）參數(shù)為15mΩ @ VDS=30V，較低的導通電阻，有效減少能量損耗，出色的Cdv/dt效應(yīng)下降，能夠有效應(yīng)對瞬態(tài)電壓的變化，保障系統(tǒng)穩(wěn)定性。
KIA30N03B場效應(yīng)管100%的EAS保證，為用戶提供更加可靠的保障，符合綠色設(shè)備標準，在環(huán)保節(jié)能方面表現(xiàn)出色，應(yīng)用在同步降壓變換器、DC-DC電源系統(tǒng)、負載開關(guān)時能夠展現(xiàn)出卓越的性能，為設(shè)備的穩(wěn)定運行提供有力的支持。30n03場效應(yīng)管封裝形式：TO-251、TO-252。
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