80n10場效應(yīng)管參數(shù)代換,KCX3310A參數(shù)引腳圖,原廠批發(fā)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-09
KCX3310A場效應(yīng)管采用先進的SGT技術(shù)，漏源擊穿電壓100V，漏極電流85A；低導通電阻RDS（導通）僅為5mΩ，極低的開關(guān)損耗，具有低RDS（開啟）和FOM、卓越的穩(wěn)定性和均勻性、快速切換和軟恢復，高效可靠，適用于電源切換應(yīng)用、硬開關(guān)和高頻電路、不間斷電源等。封裝形式：DFN5*6、TO-263。
漏源電壓：100V
漏極電流：85A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：5mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：340A
雪崩能量單脈沖：529MJ
總功耗：90W
總柵極電荷：66nC
輸入電容：4600PF
輸出電容：1250PF
開通延遲時間：17.6nS
關(guān)斷延遲時間：33.6nS
上升時間：30.2ns
下降時間：39.6ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
