KIA24N50H替代24n50場效應管參數(shù),500V 24A,中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-21
KIA24N50H場效應管采用先進的平面條紋DMOS技術生產(chǎn)，可最大限度地降低導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。KIA24N50H可以替代24n50型號應用在開關電源、LED驅動、逆變器、電動車控制器中。
KIA24N50H場效應管漏源電壓500V，漏極電流24A，低導通電阻RDS（ON）=0.16Ω@VGS=10v，低柵極電荷（典型90nC），使開關損耗最小化，提高效率；具有高堅固性、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，穩(wěn)定可靠；封裝形式： TO-3P。
漏源電壓：500V
漏極電流：24A
漏源通態(tài)電阻：0.16Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：96A
雪崩能量單脈沖：1150MJ
功率耗散：290W
總柵極電荷：90nC
輸入電容：3500PF
輸出電容：520PF
開通延遲時間：100nS
關斷延遲時間：200nS
上升時間：250ns
下降時間：150ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯(lián)系刪除。
