pmos的開啟電壓,pmos管的導通條件-KIA MOS管

pmos是低電壓開啟嗎？

pmos是低電壓開啟的，其導通條件是柵極電壓（Vgs）低于閾值電壓（通常為負值），即柵極相對于源極為負電壓時導通。

pmos的開啟電壓是多少？

pmos管的開通電壓為負值，通常在-5V至-10V范圍內(nèi)。

pmos管開通條件在于柵源電壓(VGs）需滿足：

1.電壓差要求

當VGs為負值（即源極電壓Vs高于柵極電壓VG）時，pmos管導通。

具體閾值范圍通常為-5V至-10V，具體數(shù)值需參考器件數(shù)據(jù)手冊中的閾值電壓（VGs(th))。

2.應用場景限制

由于pmos的源極通常接高電位（如電源Vcc），而柵極需通過負壓控制以實現(xiàn)導通，這增加了設(shè)計的復雜性。

在高端驅(qū)動電路中，若漏極與源極電壓相同（如Vcc），則需確保柵極電壓低于源極約4V至10V。

3.參數(shù)影響

導通電阻（RDS(on)）隨VGs絕對值的增加而降低，但需避免超過器件最大承受電壓。

寄生電容（如Cgd）可能影響開關(guān)速度，需通過外部電路優(yōu)化(如添加驅(qū)動電阻或負壓電路）。

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pmos管的導通條件

柵極電壓（Vgs）小于源極電壓（Vs），即：Vgs=Vg-Vs<VthVgs=Vg-Vs<Vth其中，VthVth是PMOS管的閾值電壓，通常是一個負值。

工作模式條件

根據(jù)PMOS管的工作模式，其導通條件可以進一步細分：

1.線性區(qū)（放大區(qū)）

條件：Vgs<Vth且Vds>Vgs-VthVgs<Vth且Vds>Vgs-Vth

在這個區(qū)域，PMOS管的漏極電流與漏源電壓（Vds)成線性關(guān)系，類似于一個可控電阻。

2.飽和區(qū)（工作區(qū)）

條件：Vgs<Vth且VdssVgs-VthVgs<Vth且VdssVgs-Vth

在這個區(qū)域，漏極電流基本不隨漏源電壓變化，主要由柵源電壓控制。

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