碳化硅SIC MOSFET生產(chǎn)廠家-MOSFET系列SIC產(chǎn)品-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-03-28
深圳市可易亞半導體科技有限公司（簡稱KIA半導體）是一家專業(yè)從事中大功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
2005年在深圳福田，KIA半導體開啟了前行之路，注冊資金1000萬，辦公區(qū)域達1200平方，現(xiàn)在的KIA半導體已經(jīng)擁有了獨立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來自韓國的超一流團隊為主體，可以快速根據(jù)客戶應(yīng)用領(lǐng)域的個性來設(shè)計方案，同時引進多臺國外先進設(shè)備，業(yè)務(wù)含括功率器件的參數(shù)檢測、可靠性檢測、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計方面擁有知識產(chǎn)權(quán)35項，并掌握多項場效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。
碳化硅場效應(yīng)管
SIC MOSFET
碳化硅mosfet，KIA半導體根據(jù)日益嚴苛的行業(yè)標準和市場對高能效產(chǎn)品的需求，推出新型碳化硅場效應(yīng)管，可幫助制造商滿足這些不斷上升的能效要求，提供更好的可靠性。耐用性和成本效率。
碳化硅mosfet產(chǎn)品特點：
1、低電阻特性，極性的導通電阻RDS（ON），導致了極其優(yōu)越的正向壓降和導通損耗，更能適應(yīng)高溫環(huán)境下工作，且模塊體積小型化，有利于系統(tǒng)功率密度；
2、高速工作特性，SIC MOSFET有著更高頻率的工作特性，使系統(tǒng)中的電容電感期間體積小型化，減少系統(tǒng)整體體積，同時也降低了生產(chǎn)加工成本；
3、高溫工作特性，SIC MOSFET一方面由于自身損耗小，發(fā)熱小，自身溫升相對較小，另一方面，熱導率要比普通SIC MOSFET高3倍。
碳化硅mosfet應(yīng)用領(lǐng)域：
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應(yīng)用領(lǐng)域 |
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太陽能逆變器 |
充電樁 |
電動車 |
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功率因數(shù)校正 |
開關(guān)模式電源 |
等等 |
碳化硅mosfet-SIC MOSFET：
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Part Number |
ID（A） |
BVDSS（V） |
Package |
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KIA10N120V1 |
10 |
1200 |
TO-220F、220、3P、247 |
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KIA20N120V1 |
20 |
1200 |
TO-220F、220、3P、247 |
KIA半導體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無人機這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。
從設(shè)計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個目標，KIA半導體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！
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