無(wú)源器件 1．電阻 ? ?沒(méi)有硅化物阻擋層掩模的工藝中，按方塊電阻...無(wú)源器件 1．電阻 ? ?沒(méi)有硅化物阻擋層掩模的工藝中，按方塊電阻值R□增大的順序可分為：金屬、硅化的多品硅、源/漏P、或N+材料、N阱等。 ?...
在金屬柵與硅柵技術(shù)的NMOS和CMOS工藝中，可以制作此類電阻，它是與MOS管的源/漏...在金屬柵與硅柵技術(shù)的NMOS和CMOS工藝中，可以制作此類電阻，它是與MOS管的源/漏區(qū)同時(shí)制成的，其剖面結(jié)構(gòu)如圖1.21所示。 該類電阻的方塊電阻值為R□=20～10...
三端穩(wěn)壓管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。穩(wěn)壓管在...三端穩(wěn)壓管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。穩(wěn)壓管在反向擊穿時(shí)，在一定的電流范圍內(nèi)（或者說(shuō)在一定功率損耗范圍內(nèi)），端電壓簡(jiǎn)直不變，...
MOS 場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為MOSFET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tra...MOS 場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為MOSFET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）的縮寫(xiě)。它普通有耗盡型和加強(qiáng)型兩種。本文運(yùn)用...
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環(huán)球晶圓發(fā)言人李崇偉副總表示，市場(chǎng)需求暢旺，12寸硅晶圓接單曾經(jīng)看到2019年，...環(huán)球晶圓發(fā)言人李崇偉副總表示，市場(chǎng)需求暢旺，12寸硅晶圓接單曾經(jīng)看到2019年，而8寸也看到明年底，如今是訂單太多懊惱交不出貨。 半導(dǎo)體硅晶...
