MOS電容結構-MOS結構具有Q隨V變化的電容效應，形成MOS電容。理想MOS電容結構特...MOS電容結構-MOS結構具有Q隨V變化的電容效應，形成MOS電容。理想MOS電容結構特點:絕緣層是理想的，不存在任何電荷,絕對不導電;半導體足夠厚，不管加什么柵電壓，在...
MOS管二極管等器件降額規(guī)范-二極管降額規(guī)范：二極管按功能可分為普通、開關、穩(wěn)...MOS管二極管等器件降額規(guī)范-二極管降額規(guī)范：二極管按功能可分為普通、開關、穩(wěn)壓等類型二極管;按工作頻率可分為低頻、高頻。二極管;按耗散功率(或電流)可分為小功...
CMOS邏輯門電路是在TTL電路問世之后, 所開發(fā)出的第二種廣泛應用的數(shù)字集成器件...CMOS邏輯門電路是在TTL電路問世之后, 所開發(fā)出的第二種廣泛應用的數(shù)字集成器件，從發(fā)展趨勢來看，由于制造工藝的改進，CMOS電路的性能有可能超越TTL而成為占主導地...
60V130A，N溝道MOSFET，開關電源專用-MOS管60V130A開關電源專用-產(chǎn)品特征:1、R...60V130A，N溝道MOSFET，開關電源專用-MOS管60V130A開關電源專用-產(chǎn)品特征:1、RDS(on)=5.5mΩ@VGS=10V，2、無鉛綠色設備，3、低Rds-最小化導電損耗，4、高雪崩電流...
三極管和場效應管引腳-晶體三極管和場效應管說明：晶體三極管：用于電壓放大或...三極管和場效應管引腳-晶體三極管和場效應管說明：晶體三極管：用于電壓放大或者電路放大的控制器件?？梢园鸦鶚O和集電極的間的電壓Vbc放大到幾十到幾百倍以上，在...
1.靜態(tài)工作點的測試:上圖為場效應管共源極放大器實驗電路圖。該電路采用的自給...1.靜態(tài)工作點的測試:上圖為場效應管共源極放大器實驗電路圖。該電路采用的自給偏壓的方式為放大器建立靜態(tài)工作點，柵極通過R1接地，因R1中無電流流過，所以柵極與...
