電源專用mos管KIA2806A漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，低RDS（ON）=3.5 m?（...電源專用mos管KIA2806A漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，低RDS（ON）=3.5 m?（典型值）@VGS=10V，減小損耗，提高效率；100%雪崩測(cè)試，可靠且堅(jiān)固；提供無(wú)鉛和綠色...
KNP2908B采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，提供優(yōu)異的RDS（...KNP2908B采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，提供優(yōu)異的RDS（ON）=5.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低柵極電荷，低RDS（ON）的高密度電池設(shè)計(jì)、完全表...
KCX3310A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，漏源擊穿電壓100V，漏極電流85A；低導(dǎo)通電...KCX3310A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，漏源擊穿電壓100V，漏極電流85A；低導(dǎo)通電阻RDS（導(dǎo)通）僅為5mΩ，極低的開關(guān)損耗，具有低RDS（開啟）和FOM、卓越的穩(wěn)定性和...
KIA40N20A漏源擊穿電壓200V，漏極電流40A，RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V，...KIA40N20A漏源擊穿電壓200V，漏極電流40A，RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V，具有快速切換、低電阻、低柵極電荷特性，符合RoHS，高效率低損耗、穩(wěn)定可靠，適用于...
KCT1810A功率MOSFET采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，漏源擊穿電壓100V，漏極電流240A，極低...KCT1810A功率MOSFET采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，漏源擊穿電壓100V，漏極電流240A，極低的導(dǎo)通電阻RDS（開啟）典型值=1.6mΩ@VGS=10V，減小損耗；具有優(yōu)秀的柵極電荷x RDS（...
逆變器的工作原理就是一個(gè)低壓直流轉(zhuǎn)換為高壓交流的過程；逆變器作為電力電子裝...逆變器的工作原理就是一個(gè)低壓直流轉(zhuǎn)換為高壓交流的過程；逆變器作為電力電子裝置中的關(guān)鍵組件，扮演著將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的角色，這一過程對(duì)于諸如太陽(yáng)能發(fā)電系...
