一種智能的碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)核及驅(qū)動(dòng)要求與特性詳解-KIA MOS管，在SiC MOSFET的...一種智能的碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)核及驅(qū)動(dòng)要求與特性詳解-KIA MOS管，在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大...
MOS管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最基礎(chǔ)的器件之一，無論是在IC 設(shè)計(jì)里，還是板級(jí)電路應(yīng)用上...MOS管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最基礎(chǔ)的器件之一，無論是在IC 設(shè)計(jì)里，還是板級(jí)電路應(yīng)用上，都十分廣泛。MOS管一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效...
MOS管的英文全稱叫MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transisto...MOS管的英文全稱叫MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型。MOS管的一般應(yīng)用在...
今天主要講MOS管電壓型靜電擊穿特點(diǎn)。其實(shí)MOS管是一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸...今天主要講MOS管電壓型靜電擊穿特點(diǎn)。其實(shí)MOS管是一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，又...
mos管漏電流與VGS的關(guān)系及MOSFET柵漏電流噪聲分析，至此，所考慮的MOS晶體管的...mos管漏電流與VGS的關(guān)系及MOSFET柵漏電流噪聲分析，至此，所考慮的MOS晶體管的工作，都是柵極—源極間電壓VGS比閾值電壓VT大時(shí)的狀況。當(dāng)VGS比VT大很多時(shí)，在柵氧...
MOS管發(fā)熱異常總結(jié) 排查原因優(yōu)化設(shè)備運(yùn)行，在電路設(shè)計(jì)的時(shí)候常常會(huì)發(fā)生MOS管發(fā)...MOS管發(fā)熱異?？偨Y(jié) 排查原因優(yōu)化設(shè)備運(yùn)行，在電路設(shè)計(jì)的時(shí)候常常會(huì)發(fā)生MOS管發(fā)熱的情況，而MOS管發(fā)熱說明了它正在錯(cuò)誤運(yùn)行。為了避免MOS管發(fā)熱危害到整體設(shè)備的運(yùn)...
