功率放大器電路圖是本文主要講的內(nèi)容，我們先來看看什么是功率放大器。功率放大...功率放大器電路圖是本文主要講的內(nèi)容，我們先來看看什么是功率放大器。功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生...
盤點(diǎn)MOS管檢測好壞的五大應(yīng)用方法，MOS管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，...盤點(diǎn)MOS管檢測好壞的五大應(yīng)用方法，MOS管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型b...
本文主要講MOS管和三極管在控制上的區(qū)別及MOS管和三極管在功能上的區(qū)別。我們?yōu)?..本文主要講MOS管和三極管在控制上的區(qū)別及MOS管和三極管在功能上的區(qū)別。我們?yōu)槭裁唇?jīng)?？吹皆谑褂脝纹瑱C(jī)I/O口驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，不是使用單片機(jī)I/O口直接驅(qū)動(dòng)，而是經(jīng)...
IGBT絕緣柵雙極型晶體管模塊是場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和電力晶體管（GTR）相結(jié)...IGBT絕緣柵雙極型晶體管模塊是場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和電力晶體管（GTR）相結(jié)合的產(chǎn)物。它具有輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)損耗低、溫度特性好以及開關(guān)頻率高等...
耗盡型與增強(qiáng)型MOS管的區(qū)別主要在于耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時(shí)有導(dǎo)電...耗盡型與增強(qiáng)型MOS管的區(qū)別主要在于耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在，而增強(qiáng)型MOS管只有在開啟后，才會出現(xiàn)導(dǎo)電溝道；兩者的控制方式也不一樣，...
p型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。在純硅中摻入...p型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。在純硅中摻入微量3價(jià)元素銦或鋁，由于銦或鋁原子周圍有3個(gè)價(jià)電子，與周圍4價(jià)硅原子組成共價(jià)結(jié)合時(shí)...
