KNX3208A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V，漏極電流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=1...KNX3208A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V，漏極電流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V，采用專有新溝槽技術(shù)，具有低門電荷減小開關(guān)損耗、快恢復(fù)體二極管等特性，能夠替...
KNX3206A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流110A，RDS（ON）=6.5mΩ（典型值）...KNX3206A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流110A，RDS（ON）=6.5mΩ（典型值）@VGS=10V，低RDS（ON）以最大限度地減少導(dǎo)電損耗，能夠替代irf3205以及80nf70型號(hào)進(jìn)...
KNX3306B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓68V，漏極電流80A，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低Rds...KNX3306B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓68V，漏極電流80A，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低Rds開啟，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，能夠替代stp60nf06型號(hào)進(jìn)行使用，開關(guān)速度快，內(nèi)阻低...
KIA2803A場(chǎng)效應(yīng)管采用溝槽加工工藝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻，漏源擊穿電壓30V...KIA2803A場(chǎng)效應(yīng)管采用溝槽加工工藝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻，漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，RDS(on)=2.2mΩ@VGS=10V，提供低柵極電荷的優(yōu)異RDS（ON），KIA2803...
KND3203B場(chǎng)效應(yīng)管采用CRM(CQ)先進(jìn)溝槽MOS技術(shù)，漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A...KND3203B場(chǎng)效應(yīng)管采用CRM(CQ)先進(jìn)溝槽MOS技術(shù)，漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A，RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V，提供低柵極電荷的優(yōu)異RDS（ON），能夠替代30h10k型號(hào)進(jìn)行...
鋰電池保護(hù)板熱銷場(chǎng)效應(yīng)管KNX3403A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供低柵極電荷...鋰電池保護(hù)板熱銷場(chǎng)效應(yīng)管KNX3403A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供低柵極電荷的優(yōu)異RDS（ON），KNX3403A漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，可以替代新潔能nce3080k...
