KNX8606B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓高達(dá)60V，漏極電流35A，RDS（開）典型值=15mΩ@V...KNX8606B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓高達(dá)60V，漏極電流35A，RDS（開）典型值=15mΩ@VGS=10V；具有低柵極電荷（典型33nC）、高堅固性、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv...
irf730場效應(yīng)管可以使用KIA730H這一款漏源擊穿電壓400V，漏極電流6A，RDS(ON)，...irf730場效應(yīng)管可以使用KIA730H這一款漏源擊穿電壓400V，漏極電流6A，RDS(ON)，typ.=0.83Ω@VGS=10V，性能出色的N溝道增強型硅柵極功率MOSFET替代，專為高壓、高速...
KNX6140A場效應(yīng)管采用專有平面新技術(shù)，漏源擊穿電壓400V，漏極電流10A，RDS(ON...KNX6140A場效應(yīng)管采用專有平面新技術(shù)，漏源擊穿電壓400V，漏極電流10A，RDS(ON)，typ.=0.35Ω@VGS=10V；KIA6720N可以代換irf740型號使用，具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)...
KIA6720N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓200V，漏極電流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；...KIA6720N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓200V，漏極電流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；KIA6720N可以代換IRF640型號使用，封裝形式：TO-220，低熱阻和低成本，便于安裝和使...
KIA4820N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓200V，漏極電流9A，RDS（ON）=260mΩ@VGS=10V；K...KIA4820N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓200V，漏極電流9A，RDS（ON）=260mΩ@VGS=10V；KIA4820N可以代換irf630型號使用，封裝形式：TO-220、TO-252便于安裝和使用，高效穩(wěn)定...
KNX7115A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓150V，漏極電流20A，RDS(on)=77mΩ@VGS=10V；KNX...KNX7115A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓150V，漏極電流20A，RDS(on)=77mΩ@VGS=10V；KNX7115A能夠代換aod4454型號，在LED驅(qū)動等領(lǐng)域熱銷，封裝形式：TO-252、TO-251。
