mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者...mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。igbt(Insulated Gate Bipolar Transistor)，...
直流電子負(fù)載是控制功率MOS管的導(dǎo)通深度，靠功率管的耗散功率（發(fā)熱）消耗電能...直流電子負(fù)載是控制功率MOS管的導(dǎo)通深度，靠功率管的耗散功率（發(fā)熱）消耗電能的設(shè)備，它的基本工作方式有恒壓、恒流、恒阻、恒功率這幾種。下文講述直流電子負(fù)載...
mos管品牌推薦，mos管廠(chǎng)家品牌介紹深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)...mos管品牌推薦，mos管廠(chǎng)家品牌介紹深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、...
在了解mos管應(yīng)用之前，我們先來(lái)了解一下mos管的一些基礎(chǔ)知識(shí)及工作原理等。mos...在了解mos管應(yīng)用之前，我們先來(lái)了解一下mos管的一些基礎(chǔ)知識(shí)及工作原理等。mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬...
P溝道增強(qiáng)型mosfet的結(jié)構(gòu)和工作原理：文中有P溝道增強(qiáng)型mosfet的結(jié)構(gòu)示意圖．通...P溝道增強(qiáng)型mosfet的結(jié)構(gòu)和工作原理：文中有P溝道增強(qiáng)型mosfet的結(jié)構(gòu)示意圖．通過(guò)光刻、擴(kuò)散的方法或其他手段，在N型襯底(基片)上制作出兩個(gè)摻雜的P區(qū)，分別引出電...
KPE4703A產(chǎn)品特征：1、RDS(on)=19mΩ(鍵入)@VGS=10V 2、超低門(mén)電荷 3、綠色設(shè)...KPE4703A產(chǎn)品特征：1、RDS(on)=19mΩ(鍵入)@VGS=10V 2、超低門(mén)電荷 3、綠色設(shè)備可用 4、Cdv/dt效應(yīng)下降 5、先進(jìn)的高密度槽道技術(shù)
