集成化的柵極驅(qū)動(dòng)器件 ?? ?在理論上，集成化的柵極驅(qū)動(dòng)器件的應(yīng)用更為...集成化的柵極驅(qū)動(dòng)器件 ?? ?在理論上，集成化的柵極驅(qū)動(dòng)器件的應(yīng)用更為普遍。用于VMOS驅(qū)動(dòng)的集成化器件大致有圖5. 84所示的幾類，它們的基本特性如表5.9所...
早期的功率MOSFET常常會(huì)由于漏-源極的電流或者電壓的變化速率太快而失控，或者...早期的功率MOSFET常常會(huì)由于漏-源極的電流或者電壓的變化速率太快而失控，或者形成漏-源極的擊穿損壞。而在大功率的高速開(kāi)關(guān)電路中，純阻性負(fù)載是很少見(jiàn)的，即便外...
你要想一個(gè)問(wèn)題：現(xiàn)在淘寶越來(lái)越嚴(yán)格，將來(lái)淘寶的流量為什么要給你？一定是你可...你要想一個(gè)問(wèn)題：現(xiàn)在淘寶越來(lái)越嚴(yán)格，將來(lái)淘寶的流量為什么要給你？一定是你可以發(fā)明最大的流量?jī)r(jià)值，也就是說(shuō)，流量進(jìn)到你的店鋪后，你的轉(zhuǎn)化率、客單價(jià)都是優(yōu)秀...
就VMOS的開(kāi)關(guān)而言，分布參數(shù)的主要要素是結(jié)電容，其他影響要素還包括引線、端電...就VMOS的開(kāi)關(guān)而言，分布參數(shù)的主要要素是結(jié)電容，其他影響要素還包括引線、端電極、PN結(jié)、管芯本體（基區(qū)）的等效分布電容和分布電感，工作頻率越高，上述“其他要...
CMOS器件具有宏大市場(chǎng)的最大理由就是功率耗費(fèi)低。正如將CMOS反相器電路（圖10....CMOS器件具有宏大市場(chǎng)的最大理由就是功率耗費(fèi)低。正如將CMOS反相器電路（圖10.4）置換為等效電路（圖10.5）時(shí)所看到的那樣，不管輸入的信號(hào)是“L”電平還是“H”電...
4個(gè)MOS晶體管，所以如式(7.2)所示的那樣，在飽和區(qū)下作的MOS晶體管的柵極源極之...4個(gè)MOS晶體管，所以如式(7.2)所示的那樣，在飽和區(qū)下作的MOS晶體管的柵極源極之間的閾值電壓VT上必需加額外的電壓△ov。圖7.4所示的柵源電流源電路中，處于監(jiān)視側(cè)...
