MOS晶體管的符號(hào)示于圖1.3。MOS晶體管是四端器件：源極(S)、柵極(G)、漏極(D)，...MOS晶體管的符號(hào)示于圖1.3。MOS晶體管是四端器件：源極(S)、柵極(G)、漏極(D)，以及基底端(B)?；锥嗽贜MOS晶體管中通常銜接電路的負(fù)端電源電壓Vss，在PMOS晶體管...
工作頻率和驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比不是很大，并且VMOS的功率規(guī)格也不是很大時(shí)，普通并...工作頻率和驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比不是很大，并且VMOS的功率規(guī)格也不是很大時(shí)，普通并不需求為VMOS配置特地的驅(qū)動(dòng)電路。通用的CMOS半導(dǎo)體(互補(bǔ)金屬氧化物品體管邏輯IC)、...
耗盡型與增強(qiáng)型、結(jié)型與絕緣柵型的，1l路偏置辦法迥然不同，但是差異還是有的，...耗盡型與增強(qiáng)型、結(jié)型與絕緣柵型的，1l路偏置辦法迥然不同，但是差異還是有的，因而表5.1列出了場(chǎng)效應(yīng)管的9種根本電路組態(tài)，其間新近上市的增強(qiáng)型JFET的偏置辦法能...
低電壓規(guī)格的VMOS，在功耗方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)，而且電壓規(guī)格越低，這個(gè)優(yōu)勢(shì)越明...低電壓規(guī)格的VMOS，在功耗方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)，而且電壓規(guī)格越低，這個(gè)優(yōu)勢(shì)越明顯。電壓規(guī)格低于100V以后，VMOS的低功耗優(yōu)勢(shì)簡(jiǎn)直是決議性的。其次是IGBT的開(kāi)展，可...
模塊中的“管芯”普通稱(chēng)為“單元”，例如兩單元模塊就包含了兩個(gè)“管芯”，這些...模塊中的“管芯”普通稱(chēng)為“單元”，例如兩單元模塊就包含了兩個(gè)“管芯”，這些管芯單個(gè)封裝起來(lái)與單管并尤區(qū)別。模塊中除了管芯一般還會(huì)包含續(xù)流二極管和一些維護(hù)...
如今有很多賣(mài)家上架了產(chǎn)品后卻不曉得怎樣樣停止破零了，當(dāng)然有人說(shuō)刷單這種方式...如今有很多賣(mài)家上架了產(chǎn)品后卻不曉得怎樣樣停止破零了，當(dāng)然有人說(shuō)刷單這種方式是最便利的，這個(gè)也是有個(gè)時(shí)期的，就比方如今新品上架后用了刷單的方式，但過(guò)幾天被...
