通常將剛剛形成導電溝道、出現(xiàn)漏極電流ID時對應的柵一源電壓稱為開啟電壓，用U...通常將剛剛形成導電溝道、出現(xiàn)漏極電流ID時對應的柵一源電壓稱為開啟電壓，用UGS(th)或UT表示。 開啟電壓UT是MOS增強型管的參數(shù)。當柵一源電壓UGS小于開啟電壓...
對于大功率場效應管，如圖6-6 (a)所示，從左至右，管腳排列基本為G、D、S極（散...對于大功率場效應管，如圖6-6 (a)所示，從左至右，管腳排列基本為G、D、S極（散熱片接D極）：采用絕緣底板模塊封裝的特種場效應管通常有四個管腳
晶體三極管通常簡稱為晶體管或三極管，是一種具有兩個PN結(jié)的mos管半導體器件。...晶體三極管通常簡稱為晶體管或三極管，是一種具有兩個PN結(jié)的mos管半導體器件。它是電子電路中的核心器件之一，在各種電子電路中的應用十分廣泛。
場效應管的主要作用是放大、恒流、阻抗變換、可變電阻和電子開關(guān)等。場效應管的主要作用是放大、恒流、阻抗變換、可變電阻和電子開關(guān)等。
半導體：(室溫)； 鍺：0.67eV 砷化鎵：1.43eV 氧化鋅:3.3 eV半導體：(室溫)； 鍺：0.67eV 砷化鎵：1.43eV 氧化鋅:3.3 eV
碳化硅二極管具有較短的恢復時間，影響較小，工作范圍-55。至175。C，大大降低...碳化硅二極管具有較短的恢復時間，影響較小，工作范圍-55。至175。C，大大降低散熱的要求。它的主要優(yōu)勢在于它具有超快開關(guān)速度無反向恢復電流，跟硅器件對比，它...
