MOSFET采用橫向雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)(IDMOS)來(lái)兼顧工作頻率與功率的要求，MESFET則采用肖...MOSFET采用橫向雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)(IDMOS)來(lái)兼顧工作頻率與功率的要求，MESFET則采用肖特基勢(shì)壘柵極(Schottky Gate FET)結(jié)構(gòu)（圖1.24）。就PN結(jié)的特性而言，與肖特基二極管...
采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直溝道...采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直溝道，雙擴(kuò)散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽柵垂直...
認(rèn)識(shí)電路中的VMOS，辨別引腳符號(hào)認(rèn)識(shí)電路中的VMOS，辨別引腳符號(hào)
?耗盡型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)與增強(qiáng)型MOSFET有著同樣的柵極結(jié)構(gòu)，所...?耗盡型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)與增強(qiáng)型MOSFET有著同樣的柵極結(jié)構(gòu)，所不同是，在常態(tài)下，它內(nèi)部的（導(dǎo)電）溝道是天生的。換言之，常態(tài)下的耗盡型MOSFET是...
在常態(tài)下，MOSFET中并沒(méi)有導(dǎo)電通道，在有了偏置電壓時(shí)，在電場(chǎng)的作用下，源極（...在常態(tài)下，MOSFET中并沒(méi)有導(dǎo)電通道，在有了偏置電壓時(shí)，在電場(chǎng)的作用下，源極（區(qū)）與柵極（區(qū)）之間就會(huì)形成導(dǎo)電通道，并且隨著偏置電壓的增加而加寬，導(dǎo)電能力增...
功率MOSFET主要用于計(jì)算機(jī)外設(shè)(軟、硬驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)、繪圖機(jī))、電源(AC／DC變...功率MOSFET主要用于計(jì)算機(jī)外設(shè)(軟、硬驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)、繪圖機(jī))、電源(AC／DC變換器、DC／DC變換器)、汽車(chē)電子、音響電路及儀器、儀表等領(lǐng)域。
