封裝的小型化使封裝的熱阻降低，功率耗散才能進(jìn)步，相同電壓電流規(guī)格或者功率規(guī)...封裝的小型化使封裝的熱阻降低，功率耗散才能進(jìn)步，相同電壓電流規(guī)格或者功率規(guī)格的產(chǎn)品，個頭小的，功率耗散才能更高，這似乎與我們的生活常識有些相悖，但是事實(shí)...
我們已經(jīng)知道JFET具有雙向?qū)щ娞匦?，即漏極與源極可以互換，這是有條件的，這個...我們已經(jīng)知道JFET具有雙向?qū)щ娞匦?，即漏極與源極可以互換，這是有條件的，這個條件就是低電壓、小電流，目前常用的小功率JFET的實(shí)際應(yīng)用也恰恰符合這個條件。MOS...
電壓規(guī)格(VDSS)：俗稱耐壓，至少應(yīng)該為主繞組的3倍，需求留意的是，主繞組的電...電壓規(guī)格(VDSS)：俗稱耐壓，至少應(yīng)該為主繞組的3倍，需求留意的是，主繞組的電壓指的是圖2.6中的N2或者N3，而不是二者相加。詳細(xì)而言，圖中為10.5V，因而Q1、Q2的...
主繞組N2、N3就是為用電電路供電的主繞組，陰影部分除了C1、C2之外，相當(dāng)于兩個...主繞組N2、N3就是為用電電路供電的主繞組，陰影部分除了C1、C2之外，相當(dāng)于兩個整流二極管，構(gòu)成了全波整流電路，整流的輸出經(jīng)主濾波電容C3濾波后輸出，輸出電流可...
模塊(Module)是將多個管芯組裝到同一個密封外殼內(nèi)的電路組件，目的是為了取得更...模塊(Module)是將多個管芯組裝到同一個密封外殼內(nèi)的電路組件，目的是為了取得更大的電流規(guī)格或者電壓規(guī)格，根本的辦法是并聯(lián)（取得大電流）和串聯(lián)（取得高耐壓），...
PD、Ptot的含義略有差別，有些制造商則會忽略了兩者的差別。通常所說的“多少瓦...PD、Ptot的含義略有差別，有些制造商則會忽略了兩者的差別。通常所說的“多少瓦”的管子就是指的PD、Ptot額定值。 PD的含義是“Under Specified Heat Conditi...
